導(dǎo)讀：量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)具有出色的發(fā)光效率，色純度，可靠性，并且可通過具有成本效益的制造方式實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，因此是大面板顯示器的理想選擇。目前，紅光，綠光和藍(lán)光QD-LED的效率分別達(dá)到了20.5%、21.0%和19.8%，但是這之中的量子點(diǎn)大多含有有毒的鎘成分。而基于磷化銦(InP)的材料和器件的性能仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于含鎘的同類材料和器件。因此，改善器件的操作穩(wěn)定性并避免使用有毒的鎘成分，成為了QLED商用的關(guān)鍵問題。
新型高效穩(wěn)定和環(huán)保的量子點(diǎn)LED
量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)具有出色的發(fā)光效率，色純度，可靠性，并且可通過具有成本效益的制造方式實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，因此是大面板顯示器的理想選擇。目前，紅光，綠光和藍(lán)光QD-LED的效率分別達(dá)到了20.5%、21.0%和19.8%，但是這之中的量子點(diǎn)大多含有有毒的鎘成分。而基于磷化銦(InP)的材料和器件的性能仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于含鎘的同類材料和器件。因此，改善器件的操作穩(wěn)定性并避免使用有毒的鎘成分，成為了QLED商用的關(guān)鍵問題。
1. 生長過程
研究人員在初始ZnSe殼的生長過程中添加氫氟酸，以蝕刻掉氧化InP核表面，然后在340℃下實(shí)現(xiàn)高溫ZnSe的生長。工程化的殼層厚度可抑制能量轉(zhuǎn)移和俄歇復(fù)合，以保持高發(fā)光效率，并且初始表面配體被較短的配體取代，以實(shí)現(xiàn)更好的電荷注入。
2. 優(yōu)異發(fā)光性能
經(jīng)過優(yōu)化的InP/ZnSe/ZnS QD-LED的最大外部量子效率為21.4%，最大亮度為100,000cd m-2，在100 cdm-2的條件下使用壽命長達(dá)一百萬小時(shí)，該性能可與最新的含鎘QD-LED媲美。
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